Изучение взаимосвязи между характеристиками лазерных диодов на основе арсенида галлия и областями их применения в медицине

Сейчас очень трудно представить современный мир без лазеров. В этом очевидная заслуга исследователей, работающих в области биофизики и физической химии. Полноценная лазерная медицина не существовала бы без лазерных диодов. На современном этапе подавляющее большинство лазерных приборов для медицины поставляется из-за рубежа. Важнейшей задачей является обеспечение отечественной медицины приборами, собранными на Российской элементной базе. Для создания лазерного медицинского оборудования требуются лазерные диоды с заданными характеристиками в зависимости от областей применения в медицине.

Цель работы

Изучение взаимосвязи характеристик лазерных диодов и областей их применения в медицине. Изучение влияния технологии выращивания лазерных кристаллов на их оптические характеристики.

Задачи работы

Изучение литературы по технологии выращивания лазерных диодов и областей их применения.

Изучение методики спектрографии и анализа спектральных измерений.

Изучение спектра и излучаемой мощности полученных лазерных диодов методом спектрографии.

Ознакомление с методом эпитаксии как с самым перспективным способом выращивания лазерных кристаллов.

Исследование влияния трёх факторов эпитаксии: состава сырья, структуры подложки и режима работы технологической установки на характеристики лазерных диодов на основе арсенида галия путём измерений оптических характеристик выходных промышленных образцов.

Выбор областей применения лазеров для медицины в соответствии с их характеристиками.

Выводы исследования

Возможность изменения факторов эпитаксии позволяет получить кристаллы с различными свойствами для применения в различных областях.

Потребительские свойства лазерных диодов можно изменять в зависимости от требований заказчика.

Перспективы развития исследования. Проект необходимо продвигать дальше:

Продолжить анализ влияния факторов эпитаксии на характеристики эпитаксиальных гетероструктур путём увеличения количества этих факторов с использованием метода спектрографии.

Исследовать значение технологии выращивания кристаллов для их использования в лазерной медицине.

Запланировать исследование влияния факторов эпитаксии на характеристики эпитаксиальных гетероструктур методом рентгенографии лазерных диодов.