Стремление к минимизации топологических размеров приборов микроэлектроники ведет к повышению требований к технологии изготовления их компонентов. Используемые в полупроводниковой технологии материалы (монокристаллы, системы металлизации, контакты, пассивирующие пленки) являются термодинамически неравновесными, способными вступать между собой в различные реакции на границе раздела фаз. Взаимодействие между компонентами может осуществляться как на стадии изготовления структур и последующих технологических операциях, так и в процессе эксплуатации полупроводникового прибора.

В рамках лекции будут представлены результаты исследования, позволяющие разработать методики экспресс-диагностики состояния полупроводниковой структуры, а также определять оптимальные режимы полупроводникового прибора при импульсных воздействиях.

Также будут рассмотрены основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, представлены типовые задачи, доступные для школьного уровня.

Лектор: Корячко Марина Валерьевна, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры «Физика» Московского политехнического университета, руководитель гранта РНФ для молодых ученых

Мероприятие для учеников 10-11 классов.

Регистрация на мероприятие по ссылке.